化学气相沉积法(chemical vapor deposition,CVD)由于成本低、可控性好、可大规模量产等优点近年来被广泛应用于石墨烯的制备中[1]。相比于多晶石墨烯薄膜,单晶石墨烯因其缺陷少、质量高而被广泛应用于制备高性能石墨烯器件。我们以液态铜作为石墨烯生长的催化剂[2],采用CVD方法,通过精确的调节气体CH4和H2的比例实现了大面积六角石墨烯阵列的可控制备[3]。拉曼光谱(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等表征手段证实了该类石墨烯的单层单晶特征。系统的实验表明六角单晶石墨烯可以在液态铜上进行自组装排列从而形成大面积的石墨烯阵列,该种行为与高温下液态铜的表面流动性密切相关。通过生长条件的改变(温度的调节,碳源的变化等)实现了对单晶石墨烯阵列密度和尺寸的有效调控,还得到了具有规律堆垛结构的双层六角石墨烯。此外,基于大面积单晶石墨烯阵列所构筑的场效应器件显示了良好的电学性能,迁移率最高可达3500 cm2 V?1 s?1,为该类石墨烯的大规模应用奠定了基础。