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通过氧化过程中的质量变化研究了R-SiC材料在1300℃下的氧化行为。结果表明：最初材料的氧化使碳化硅表面形成致密的无定形SiO2薄层，有效地阻挡了氧的向内扩散，此时SiC具有很好的抗氧化性能，其氧化反应速率遵循抛物线规律：X2=Bt+b，为扩散控制反应，氧穿过氧化层的快慢直接影响氧化反应的速度。随着反应的不断进行，氧化反应继续增厚，这时由于材料表面的氧化层与基体热膨胀系数不匹配，温度变化时产生的热应力导致氧化层开裂，另外，R-SiC表面的无定形二氧化硅在热循环过程中析晶出方石英，析晶的体积效应和晶界的加入也引起开裂，从而为氧扩散提供了通道，大大加速了R-SiC的氧化速率。