【摘 要】
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本研究利用射频溅射法在Si(100)衬底上制备了纯六方相(h-BN)和以正交相(E-BN)为主相的两组氮化硼薄膜，对其进行600～1000℃的N2保护退火，通过傅里叶变换红外谱(FTIR)分析,发现hBN-cBN-hBN的可逆相变。h-BN向立方氮化硼(c-BN)的最佳退火诱导相变温度为900℃，在此温度下,制备出了立方相含量接近100％的氮化硼薄膜,并且对相变路径与机理进行了探索性的讨论。
【机 构】
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北京工业大学应用数理学院,北京 100124;兰州大学物理科学与技术学院,甘肃 兰州 730000
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本研究利用射频溅射法在Si(100)衬底上制备了纯六方相(h-BN)和以正交相(E-BN)为主相的两组氮化硼薄膜，对其进行600～1000℃的N2保护退火，通过傅里叶变换红外谱(FTIR)分析,发现hBN-cBN-hBN的可逆相变。h-BN向立方氮化硼(c-BN)的最佳退火诱导相变温度为900℃，在此温度下,制备出了立方相含量接近100％的氮化硼薄膜,并且对相变路径与机理进行了探索性的讨论。
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