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随着电力电子技术的进步，高效率、高功率密度、高可靠性成为电力电子产品的发展方向。基于硅（Si）材料的电力电子器件很难同时满足电力电子产品对效率、体积、温度的要求。氮化镓（GaN）凭借其优异的材料物理特性，结合日益发展的GaN高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）器件设计与工艺技术，使得制造更低导通电阻、更高开关速度和高温运行这三者兼顾的功率器件成为可能，GaN HEMT的推广应用能够在节能、降低系统成本方面显著的提高电力电子产品的竞争力。