【摘 要】
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本文基于DFT,利用VASP 研究了LnB6(Ln=La、Ce……Yb、Lu)的晶体结构、弹性性质和电子结构.优化得到了LnB6 的内坐标和晶格常数[2].计算出了弹性常数、体弹模量B0、泊松比υ
【机 构】
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四川大学原子与分子物理研究所,成都610065
【出 处】
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第五届全国计算原子与分子物理学术会议
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本文基于DFT,利用VASP 研究了LnB6(Ln=La、Ce……Yb、Lu)的晶体结构、弹性性质和电子结构.优化得到了LnB6 的内坐标和晶格常数[2].计算出了弹性常数、体弹模量B0、泊松比υ 等[1],填充了部分LnB6 在弹性常数方面的空白,为实验研究提供了一定的理论参考.结果表明随着原子序数的增加,这些量普遍呈现出一定的规律性,但是,LaB6、EuB6、YbB6 却表现出反常的行为.为此,我们进行了LnB6 的电子性质的研究,从态密度图可以看出,EuB6、YbB6 具有较大的赝能隙,而LaB6 赝能隙较小,从而解释了三者的反常行为[3].
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