【摘 要】
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本文采用COCVD法生长出高质量的ZnO单晶薄膜.设备为具有自己知识产权的等离子增强COCVD系统.实验中分别利用硅、R-蓝宝石、C-蓝宝石等作衬底,以二乙基锌(DEZn)、氧气为源,利
【机 构】
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吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区(吉林长春)
【出 处】
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中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议
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本文采用COCVD法生长出高质量的ZnO单晶薄膜.设备为具有自己知识产权的等离子增强COCVD系统.实验中分别利用硅、R-蓝宝石、C-蓝宝石等作衬底,以二乙基锌(DEZn)、氧气为源,利用氩气作锌源载体,高纯N<,2>作为辅气流,经高密度均匀网由反应室顶端均匀下压,有效抑制由于热效应形成的气流上返效应对生长质量的影响,进行ZnO单晶薄膜生长.
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