利用射频磁控溅射工艺制备ITO/SiO_x/n-Si结构的异质结太阳能电池,在标准AM1.5G太阳光照射下,器件表现出良好的光伏特性,最高转化效率为9.63%,其中开路电压为0.45V,短路电流为29.26mA/cm²,填充因子为71.2%。ITO和n-Si的功函数之差是SIS器件中成功建立内建电势的直接原因,n-Si基体表面的能带弯曲形成的反型层,使SIS异质结器件具有类p-n结的结构^[1]。界面态的存在是异质结器件的固有属性,且界面态的大小对器件的光电性能优劣有着重要影响,对于所研究的SIS器件,在溅射过程ITO/n-Si的界面区会自然形成超薄氧化硅钝化层,其厚度小于2nm。因此我们通过调控不同的沉积工艺参数（如功率,压强等）,对器件的界面态进行研究。在构建的ITO/SiO_x/n-Si结构器件中,具有钝化和隧穿作用的超薄氧化硅层对器件性能起着重要的作用,并理论上证实在界面层中形成的In-O-Si三元杂化物能减低隧穿势垒高度和减少氧空位,促进光生载流子的传输且阻止电子空穴的复合^[2]。针对超薄氧化硅的厚度,我们采用光辅助高频C-V法进行估算不同条件下器件的平均界面态密度^[3],比较光照和黑暗下的C-V曲线,分析界面态对光生载流子复合的影响,从而推断出界面态密度的变化范围。开路电压随功率的增加而增大,然而平均界面态密度会逐渐减小,说明溅射功率的变化会引起界面层化学成分及物相的改变,等离子体中载能粒子束（原子/离子）轰击和紫外辉光会对超薄SiO_x层原子成键和电子态造成一定程度的损伤,从而影响器件的光伏性能。