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单片微波集成电路的中心值设计
【机 构】
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大学微波与数字通信国家重点实验室
【出 处】
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中国电子学会第六届学术年会
【发表日期】
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1996年期
其他文献
论述了一种GaAs MESFET单片集成压控衰减器的研制过程，包括参数设计，结构设计，工艺设计等。该衰减器主要指标为：频率3～4GHz，衰减量≥30dB，插损≤1.8dB，驻波≤1.9。
采用Ｃ５０单片机作为头位检测和图象接收检测具有成本低、可靠、数据处理能力强，精度较高等特点，由于Ｃ５０速度快所以不需要贞缓存，而是直接采样和计算，系统比较简单。