【摘 要】
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通过在n 型单晶硅衬底上丝网印刷铝,随后高温推进形成Al-p+发射结,形成n+np+结构的N 型背结前接触太阳能电池.采用两种模式对Al-p+发射结进行钝化.(a)等离子体增强化学气相沉积SiNx 钝化.(b) 等离子体增强化学气相沉积SiO2 和SiNx 的叠成钝化；通过对比,可以发现SiO2和SiNx的叠层钝化将电池的开路电压提高了20mV.另外,实验了一种局部Al-p+发射结的电池结构,相比
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,北京市朝阳区北土城西路3 号 , 100029
【出 处】
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
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通过在n 型单晶硅衬底上丝网印刷铝,随后高温推进形成Al-p+发射结,形成n+np+结构的N 型背结前接触太阳能电池.采用两种模式对Al-p+发射结进行钝化.(a)等离子体增强化学气相沉积SiNx 钝化.(b) 等离子体增强化学气相沉积SiO2 和SiNx 的叠成钝化；通过对比,可以发现SiO2和SiNx的叠层钝化将电池的开路电压提高了20mV.另外,实验了一种局部Al-p+发射结的电池结构,相比于全Al-p+发射结电池的开路电压提升了8mV.
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