【摘 要】
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纳米材料制造的传统方法涉及自上而下的光刻图形化和(或)自下而上的自组装。(1)将光刻图形化转移到材料所需的蚀刻过程在原子尺度上引发的晶格破坏和化学污染,是永远不能完全去除的。因此,在晶圆外延质量级别上说,光刻图形化之后的再生界面严重受损,缺陷水平比实际要求极限至少高两个量级。
【出 处】
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2020第三届光电材料与器件发展研讨会
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纳米材料制造的传统方法涉及自上而下的光刻图形化和(或)自下而上的自组装。(1)将光刻图形化转移到材料所需的蚀刻过程在原子尺度上引发的晶格破坏和化学污染,是永远不能完全去除的。因此,在晶圆外延质量级别上说,光刻图形化之后的再生界面严重受损,缺陷水平比实际要求极限至少高两个量级。
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