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本文对Si<,1-x>Ge<,x>源结构的SOI器件中的浮体效应进行了模拟,并且与普通的SOI器件进行了比较.发现源区采用SiGe材料后,输出曲线上的翘曲现象得到了减弱,击穿电压得到了提高,说明浮体效应得到了明显的抑制.并且,随着Ge含量的提高,浮体效应得到进一步的抑制.
SiGe源结构SOI器件浮体效应的模拟与分析
【摘 要】
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本文对SiGe源结构的SOI器件中的浮体效应进行了模拟,并且与普通的SOI器件进行了比较.发现源区采用SiGe材料后,输出曲线上的翘曲现象得到了减弱,击穿电压得到了提高,说明浮体
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心(上海)
【出 处】
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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
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2003年期
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