MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取

来源 :第八届全国可靠性物理学术讨论会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:afengyu66
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基于MOSFET热载流子可靠性物理,并结合电应力条件下热载流子退化特征量ΔI<,ds>/I<,ds0>、I<,sub>等实测数据的拟合处理,本文发展了可表征退化物理意义的衬底电流与退化/寿命参数提取模型;进而由自动测试ATE与CAD技术相结合的监测系统,实现了载流子速度饱和临界电场Ecrit、有效导电长度L<,c>和寿命因子H、m、n提取。实验研究结果表明,模型及提取参数合理可信,并可进一步应用于MOSFET及其电路的退化/寿命模拟预测。
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用自蔓延高温燃烧合成方法,制备了碳化硅含量为5%,15%,25%的SiC-SiN复合粉末。对复合粉体进行了粒径分布、SEM、XRD分析,并对以上粉体进行AIN-稀土氧化物液相烧结,烧结体的机械性能与同样比例机械混合SiC-SiN粉体烧结陶瓷的机械性能进行了对比。
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