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硅漂移探测器(SDD，Silicon Drift Detectorl)的输出电容很小，只由探测器的收集阳极面积决定，而与其整个有源区面积无关，故SDD电子学噪声很小，具有很高的性噪比，能量分辨率很高。由于存在众多优点，硅漂移探测器被广泛应用于X射线探测、天体物理、核医学和高能物理实验等领域。但是在国内，SDD的研究还很少。
本文分析了环形硅漂移探测器的工作机制。主要是针对性的设计了环形硅漂移探测器的基本芯片结构，对SDD基本结构进行了模拟仿真分析，研究了SDD基本结构改变衬底浓度、漂移环间距、外加偏压和漂移环间加N+保护以及改变漂移环宽等结构的设计和仿真，并对这些仿真结果进行了分析讨论和总结，给出了一些设计SDD芯片器件结构参数的选取建议和方向。