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本文针对晶Si太阳电池需要的宽谱广角减反性能，利用旋涂法在单晶Si抛光表面制备PS 纳米球单层膜，并通过氧等离子体反应离子刻蚀(RIE)调控其占空比，大面积低成本地形成晶Si材料宽谱广角减反结构需要的掩模图案，然后结合感应耦合等离子体刻蚀技术(ICP)，在该晶Si衬底上获得宽谱广角减反纳米结构。文中系统分析了RIE 和ICP 条件对纳米柱形貌进而对材料宽谱广角减反性能的影响，并最终优化出平均反射率低于5％，最小反射率低于1％的Si纳米结构。