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单层的MoS2、MoTe2和WSe2等过渡金属硫属化合物是直接带隙半导体材料[1]，近几年在基础研究和应用领域都引起了广泛的兴趣。我们发现单层过渡金属硫属化合物由于空间反演对称性破缺其布里渊区的K和K能谷附近发生巨自旋劈裂，且两点处自旋劈裂的方向相反[2]。
磁性掺杂的过渡金属硫属化合物的能谷极化
【摘 要】
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单层的MoS2、MoTe2和WSe2等过渡金属硫属化合物是直接带隙半导体材料[1]，近几年在基础研究和应用领域都引起了广泛的兴趣。我们发现单层过渡金属硫属化合物由于空间反演对
【机 构】
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柔性电子重点实验室,先进材料研究院,江苏先进生物与化学制造协同创新中心,南京工业大学,210089物理科学与工程系,阿卜杜拉国王科技大学,图瓦,沙特阿拉伯
【出 处】
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中国化学会第30届学术年会
【发表日期】
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2016年7期
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