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Strain-Gated Field Effect Transistor of a MoS2-ZnO2D-1D Hybrid Structure

来源 :第二届纳米能源与纳米系统国际会议(NENS2016) | 被引量 : 0次 | 上传用户：yanfengim

【作 者】

：

LiboChen 

【机 构】

：

Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems,Chinese Academy of Sciences,Beijing,100083,China

【出 处】

：

第二届纳米能源与纳米系统国际会议(NENS2016)

【发表日期】

：

2016年3期

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