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铌酸锂（LiNbO3,LN）是赝钙钛矿结构,属于R3c空间[1]。体单晶铌酸锂有着优良的铁电,压电,非线性光学和光电效应[2],因此,它一直是研究热点。而LiNb3薄膜材料的一些性能更优于体材料,例如它更易掺杂,生长多层结构等[3],有望制备性能更优异的光电集成器件,使得近年来LiNbO3薄膜受到科研工作者的关注。把LiNbO3生长在Si片上有望实现光电集成。我们利用脉冲激光沉积（PLD）的方法在Si（111）衬底上生长了多晶LiNbO3薄膜（如图1）,制备出了p-n结,并呈现出了良好的整流效应（如图2）。实验结果为制备LiNbO3光电集成的有源器件奠定了基础。