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通过对多晶硅发射极工艺的研究，优化多晶硅淀积工艺，界面氧化层控制在3nm左右，穿透电阻降低到2.5Ω/口，有效提高了发射效率，实现多晶硅发射极工艺稳定，多晶硅发射极工艺制作的NPN管单管频率提高到4GHz，满足高速运算放大器设计的需要.
多晶硅发射极工艺技术研究
【摘 要】
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通过对多晶硅发射极工艺的研究，优化多晶硅淀积工艺，界面氧化层控制在3nm左右，穿透电阻降低到2.5Ω/口，有效提高了发射效率，实现多晶硅发射极工艺稳定，多晶硅发射极工艺制作的N
【机 构】
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中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆 400060
【出 处】
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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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2011年期
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