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本文成功地制备了基于PECVD SiNx绝缘层和廉价的Cu为漏、源电极的并五苯薄膜晶体管，通过转折特性曲线得出器件的饱和迁移率为饱和迁移率为0.29 cm2/Vs，阈值电压为-8.4V，开关比为5.3×106。用原子力显微镜表征了SiNx与并五苯的表面形貌。并发现制备的并五苯晶体管性能优越，这主要是由于SiNx绝缘层的表面非常平滑且并五苯有较小的晶粒缺陷态。可见，基于PECVDSiNx绝缘层和廉价的Cu为漏、源电极的有机薄膜晶体管对实现大面积、廉价的晶体管有着重要的意义。