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在GM-5半导体探测器对面放置一个[**]Pu裂变源片，将此探头插入到零功率基准装置中心，测量堆中心绝对快中子通量。探头沿孔道每5毫米为一测点，得到活性区经向中子通量分布。该文介绍了测量原理及实验结果分析。（王太和摘）
用金硅面垒半导体探测器测量堆中子通量
【摘 要】
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在GM-5半导体探测器对面放置一个[**]Pu裂变源片，将此探头插入到零功率基准装置中心，测量堆中心绝对快中子通量。探头沿孔道每5毫米为一测点，得到活性区经向中子通量分布。该文
【机 构】
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西南核物理与化学研究所
【出 处】
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全国核电子学与核探测器学术会议
【发表日期】
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1984年期
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