【摘 要】
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近年来,发光液晶材料因在发光二极管,信息储存,传感器,一维半导体等领域的潜在应用受到广泛的关注。其中,含有氰芪结构的发光材料是其中重要的一类,这类材料具有聚集荧光增强(aggregation induced enhanced emission,AIEE)的特性,并且在紫外(UV)光曝光下可发生Z/E 异构化反应。本研究中,我们发展了一种基于双氰芪基荧光基元的反射/荧光液晶聚合物光子薄膜。首先,制备
【出 处】
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中国化学会2017全国高分子学术论文报告会
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近年来,发光液晶材料因在发光二极管,信息储存,传感器,一维半导体等领域的潜在应用受到广泛的关注。其中,含有氰芪结构的发光材料是其中重要的一类,这类材料具有聚集荧光增强(aggregation induced enhanced emission,AIEE)的特性,并且在紫外(UV)光曝光下可发生Z/E 异构化反应。本研究中,我们发展了一种基于双氰芪基荧光基元的反射/荧光液晶聚合物光子薄膜。首先,制备了具有双氰芪基的可聚合液晶单体；然后将其引入二氧化硅胶体晶体中,制备了含有反蛋白石结构的液晶聚合物光子薄膜。研究表明：反射波段和荧光波段的叠加实现了荧光增强的效果。随后,我们通过掩膜下UV 曝光的方法,透光区域诱导了双氰芪结构的Z/E 异构化,实现了液晶聚合物薄膜的荧光图案化。本研究从分子设计和液晶聚合物网络两个方面为设计发光液晶聚合物材料提供了思路。
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