基于光活性双层杂化介电层的非易失性存储器

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界面调控对提高有机场效应晶体管的器件性能以及实现功能化至关重要。本工作中,我们使用具有光致变色异构化功能的二芳烯分子作为功能化单分子膜修饰半导体/介电层界面,以实现与二氧化铪结合的双层杂化介电层构建。利用二芳烯骨架在不同光照条件下发生开、关环变化,引起能级变化的特性影响光生电子隧穿能垒变化,实现复杂的电学状态,构建非易失性存储器。本工作使用光信号写入和电信号擦除,构建起了一个较大、可逆、长保留时间、非易失性信号处理能力的阈值电压响应,这为我们提供了全新的视角来设计构建基于单分子膜界面调控的OFET功能化器件。
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