【摘 要】
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本文采用LP-MOVPE两步法,以无裂纹AIN作为模板,NH3、TMG、TMA作为源气,设计生长了Al组分为0.16和0.26的两个AlGaN单层和GaN单层,AFM、HRXRD、透射谱等表征测试的结果均表明。
【机 构】
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中国科学院半导体照明研发中心,北京市海淀区清华东路甲35号,100083
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文采用LP-MOVPE两步法,以无裂纹AIN作为模板,NH3、TMG、TMA作为源气,设计生长了Al组分为0.16和0.26的两个AlGaN单层和GaN单层,AFM、HRXRD、透射谱等表征测试的结果均表明。外延层结晶质量很好。AFM显示表面粗糙度(RMS<0.65nm),HRXRD测试(10—12)摇摆曲线的半高宽FWHM小于500秒,FWHM(002)则在200秒左右,估计位错密度～9×108/cm2,实现了高质量单层AlGaN的外延。并在此基础上成功地外延AlGaN/GaN多量子阱(MQW)分离限制异质结构(A1GaN/GaN MQW-SCH)。
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