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碳是直拉单晶硅中非常重要的有害非金属杂质之一，若晶体生长过程中引入碳，会促进氧沉淀和sic析出相的生成，导致晶体内应力增加，从而影响单晶硅的品质。熔体内的碳杂质主要来源于炉内热场材料在高温时与氧的反应，其在熔体中的分布与熔体对流行为有着密切的关系。
磁场结构对Φ300mm直拉单晶硅碳浓度的影响
【摘 要】
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碳是直拉单晶硅中非常重要的有害非金属杂质之一，若晶体生长过程中引入碳，会促进氧沉淀和sic析出相的生成，导致晶体内应力增加，从而影响单晶硅的品质。熔体内的碳杂质主要来
【机 构】
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宁夏大学光伏材料重点实验室,银川
【出 处】
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第一届无网格粒子类方法进展与应用研讨会
【发表日期】
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2016年8期
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