【摘 要】
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等离子体极紫外（EUV）光源被公认为是最有前途的EUV光源，针对它的研究已经在全世界范围内展开了激烈的竞争。在实现极紫外光刻（EUVL）技术的过程中，应予以最优先考虑的问题是如何提高EUV光的输出功率。在Z箍缩等离子体EUV光源的发展过程中，氙气已被用作是诱发等离子体的目标靶。利用幅值为30kA，脉宽为100ns的脉冲电流来箍缩等离子体。利用针孔成像EUV 摄谱仪和EUV波段能量监测器来观测分析从
【机 构】
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哈尔滨工业大学电气工程学院 哈尔滨工业大学可调谐激光国家级重点实验室
【出 处】
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2007中国电机工程学会高电压专委会学术年会
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等离子体极紫外（EUV）光源被公认为是最有前途的EUV光源，针对它的研究已经在全世界范围内展开了激烈的竞争。在实现极紫外光刻（EUVL）技术的过程中，应予以最优先考虑的问题是如何提高EUV光的输出功率。在Z箍缩等离子体EUV光源的发展过程中，氙气已被用作是诱发等离子体的目标靶。利用幅值为30kA，脉宽为100ns的脉冲电流来箍缩等离子体。利用针孔成像EUV 摄谱仪和EUV波段能量监测器来观测分析从Z箍缩等离子体发射出的EUV光。为了提高从输入电气能量到EUV 光辐射能量的转化效率，同时利用固态锡棒作为诱发等离子体放电的目标靶。实验分析证明转化效率高达1.5％。
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