该文对N型MOS电容进行了Fowleer-Nordheim衬底热电子高场注入(SHE),并利用高艭-V及准静态C-V分析技术,从微观氧化电荷、界面态的感生变化及其界面态的能理分布变化 等角度 研
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在我的印象中,外公是一个爱笑的、从不发脾气的、瘦瘦的孩子般的老人。我很小的时候就开始住在外公家中,对外公的过去却知之甚少。不过,正像他所说的,每一个和他同时代
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对国内常规54HC工艺制做的PMOSFET进行了F-N热载子注入损伤实验,研究了MOSFET跨道、阈电压等参数随热载子注入的退化规律,特别是从微观氧化物电荷和界面态变化对阈电压影响角度