【摘 要】
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本文通过硅片择优腐蚀技术和半导体光学显微镜研究了受铜沾污的掺锗（掺锗浓度为1×1019cm-3）重掺磷硅片在高温退火（800-1000℃）条件下的铜沉淀行为。研究发现，经800℃退火后，近表面
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027
【出 处】
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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
论文部分内容阅读
本文通过硅片择优腐蚀技术和半导体光学显微镜研究了受铜沾污的掺锗（掺锗浓度为1×1019cm-3）重掺磷硅片在高温退火（800-1000℃）条件下的铜沉淀行为。研究发现，经800℃退火后，近表面区域富集着大量的点状腐蚀坑，经900℃退火后点状腐蚀坑均匀分布在体内，而经1000℃退火后，铜沉淀腐蚀形貌表现为低密度的陀螺状。通过改变1000℃退火后的冷却速率，发现经过慢冷处理的硅片体内形成了高密度的点状腐蚀坑。此外，通过对比普通重掺磷和掺锗重掺磷直拉单晶硅中的铜沉淀行为，发现掺锗对重掺磷直拉单晶硅中的高温铜沉淀行为有显著的影响。
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