【摘 要】
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本文主要研究了高In组分InGaN/GaN多量子阱(MQWs)中阱层厚度的变化对阱内局域态的影响机理。采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术分别制备了不同阱厚的MQWs样品,并利
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京100083
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本文主要研究了高In组分InGaN/GaN多量子阱(MQWs)中阱层厚度的变化对阱内局域态的影响机理。采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术分别制备了不同阱厚的MQWs样品,并利用变温光致发光(PL)测试手段对不同阱厚样品中的局域态效应进行了分析。随着样品温度的增加(从10K到300K),其PL发光峰的峰值能量呈现出典型的S型曲线的变化。通过比较不同样品间S型曲线的差异,并借助带尾模型,对不同阱厚MQWs样品中的局域态的程度进行了定量的比较与分析。研究结果表明,在薄阱的MQWs样品中,由In组分波动引起的深局域态在材料的发光机制中起主导作用；而在厚阱样品中,MQWs材料的发光主要源于阱层厚度的波动引起的浅局域态中的辐射复合效应。由于深局域态具有较强的局域效应,特别是其中可能存在的大量无缺陷的局域发光中心,将更有利于辐射复合的发生,从而导致薄阱MQWs材料的发光效率较高。
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