【摘 要】
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利用第一性原理计算方法，对纯的立方碳化硅和铜掺杂立方碳化硅的几何结构、电子结构和光学性质进行了对比研究，计算结果表明掺杂后立方碳化硅的能带结构由原来的间接带隙变为直接带隙，并且，带隙宽度随着铜杂质浓度的增加而增大.通过对吸收谱的研究，发现在7.5 至10 电子伏特的高频区域，随着铜杂质浓度的增加，加速了光生电子和空穴对的重组，抑制了光催化特性，从而使得吸收谱的强度逐渐减弱.并且利用电子带间迁移对吸
【机 构】
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四川大学原子与分子物理研究所,成都 610065
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利用第一性原理计算方法，对纯的立方碳化硅和铜掺杂立方碳化硅的几何结构、电子结构和光学性质进行了对比研究，计算结果表明掺杂后立方碳化硅的能带结构由原来的间接带隙变为直接带隙，并且，带隙宽度随着铜杂质浓度的增加而增大.通过对吸收谱的研究，发现在7.5 至10 电子伏特的高频区域，随着铜杂质浓度的增加，加速了光生电子和空穴对的重组，抑制了光催化特性，从而使得吸收谱的强度逐渐减弱.并且利用电子带间迁移对吸收峰进行了分析，给出了合理的解释.
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本文报道了不同耦合机制对分形结构超原子在太赫兹电磁波段的响应。本文提出了两种基于同心方块谐振器(CRS)的超原子,它们分别是独立同心方块谐振器(I-CRS)和链接同心方块谐振器(J-CRS)。对于I-CRS而言,每一分形维度上的谐振器犹如一个独立的偶极子振荡体,从而导致多模谐振；然而,对于J-CRS而言,后一个维度上的谐振器与前一个维度上的谐振器呈90度,从而使得多模谐振转化为单模谐振。随着分形维
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