【摘 要】
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ZnO是直接带隙宽禁带半导体材料,禁带宽度为3.37eV.自从纳米结构ZnO在室温下受激辐射现象的发现[1,2],它在短波光电器件领域,如紫外发激光二极管以及紫外传感器等方面展示出巨大的应用潜力.一直以来,通过掺杂改变ZnO禁带宽度,从而调整紫外发光波长是研究的热点.掺杂对其精细微结构单元和光谱特征的影响需深入认识.本文利用激光共焦Raman光谱测定和研究了Raman光谱随掺Mg成分变化的趋势.
【机 构】
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安徽大学物理与材料学院,安徽大学现代实验技术中心,合肥230039
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ZnO是直接带隙宽禁带半导体材料,禁带宽度为3.37eV.自从纳米结构ZnO在室温下受激辐射现象的发现[1,2],它在短波光电器件领域,如紫外发激光二极管以及紫外传感器等方面展示出巨大的应用潜力.一直以来,通过掺杂改变ZnO禁带宽度,从而调整紫外发光波长是研究的热点.掺杂对其精细微结构单元和光谱特征的影响需深入认识.本文利用激光共焦Raman光谱测定和研究了Raman光谱随掺Mg成分变化的趋势.
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