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六角氮化硼单层中硼位掺杂3d过渡金属的磁各向异性
【机 构】
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南开大学,电子信息与光学工程学院,天津市卫津路94 号,300071
【出 处】
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中国物理学会2013年秋季学术会议
【发表日期】
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2013年11期
其他文献
在外加电压或电流的作用下，体系的电阻值在多个阻态之间发生变化的现象称为电致电阻效应。电致电阻效应存在于多种体系结构的材料中，例如钙钛矿结构氧化物，二元过氧化物，硫属化合物，氮化物，碳基材料，非晶硅，有机半导体等。但是电致电阻效应准确的物理机制尚未得到统一的认可，目前主要的理论机制有导电细丝模型，界面肖特基模型，陷阱俘获释放电荷模型等。在这些理论模型中，氧空位缺陷的被认为起了很关键的作用。
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新近实验表明，电流流过垂直磁化的Pt/Co/AlOx 薄膜纳米线时，除存在着众所周知的自旋转矩(STT)效应外[1]；由于薄膜的结构反演非对称性，进而还可以导致一个作用幅度不容忽视的Rashba效应[2]。
Due to their long term disordered microstructure,amorphous alloys exhibit much better mechanical properties,magnetic properties,anti-corrosion properties and so on,compared with their traditional crys
由于在微波器件中的潜在应用，自旋转移矩纳米振荡器吸引了人们密切的关注[1-3]。提高器件的工作频宽和发射功率一直是研究的重点，除器件结构外，材料的吉伯阻尼因子也是影响器件性能的重要因素。
BiFeO3(BFO)可应用于反铁磁钉扎层而实现外加电场对磁性的调控[1]。类四方相BFO 由于其大的c/a 值而在理论上预言有大的铁电极化(～150 μC/cm2)