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采用快速热退人对外延SiGe/Si合金样品进行热处理。用双晶调X-rav衍射、Raman，RBS分析样品的应变及组分变化。结果表明大组分（＞0.3）合金在退火时有明显的互扩散发生，组分越大，互扩散越明显。
Ge组分对SiGe合金退人行为的影响
【摘 要】
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采用快速热退人对外延SiGe/Si合金样品进行热处理。用双晶调X-rav衍射、Raman，RBS分析样品的应变及组分变化。结果表明大组分（＞0.3）合金在退火时有明显的互扩散发生，组分越大，互扩
【机 构】
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院半导体所材料中心(北京)
【出 处】
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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1998年期
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