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外尔半金属材料中外尔节点附近的电子满足三维外尔方程,是具有手征性的外尔电子。与石墨烯材料中的二维狄拉克电子类似,Klein 隧穿使外尔电子能百分之百穿透台阶势垒。我们研究了量子阱或层状量子势垒结构中的外尔电子行为。能量高于半阱深的电子能够被量子阱捕获于其附近的限制态中。
外尔半金属量子阱的电子准直特性
【摘 要】
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外尔半金属材料中外尔节点附近的电子满足三维外尔方程,是具有手征性的外尔电子。与石墨烯材料中的二维狄拉克电子类似,Klein 隧穿使外尔电子能百分之百穿透台阶势垒。我们研究了量子阱或层状量子势垒结构中的外尔电子行为。能量高于半阱深的电子能够被量子阱捕获于其附近的限制态中。
【机 构】
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苏州大学物理学院
【出 处】
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中国物理学会2016年秋季会议
【发表日期】
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2016年5期
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