【摘 要】
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采用固相烧结法制备出掺杂稀土Yb的NaBiTiO基压电陶瓷,研究了Yb对NaBiTiO压电陶瓷的相结构,介电性质,压电性能的影响.结果表明,经900℃预烧2h的粉体,已经大部分生成NBT主晶相,成型后于1 150℃烧结2h~3h,可以得到致密的NBT陶瓷.Yb掺杂对NaBiTiO基陶瓷的介电常数和介电损耗影响不大,但对压电常数有一定的影响.当在NBT陶瓷中掺杂0.02molYb时,d能达到64pC
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采用固相烧结法制备出掺杂稀土Yb<3+>的Na<,0.5>Bi<,0.5>TiO<,3>基压电陶瓷,研究了Yb<3+>对Na<,0.5>Bi<,0.5>TiO<,3>压电陶瓷的相结构,介电性质,压电性能的影响.结果表明,经900℃预烧2h的粉体,已经大部分生成NBT主晶相,成型后于1 150℃烧结2h~3h,可以得到致密的NBT陶瓷.Yb<3+>掺杂对Na<,0.5>Bi<,0.5>TiO<,3>基陶瓷的介电常数和介电损耗影响不大,但对压电常数有一定的影响.当在NBT陶瓷中掺杂0.02molYb<3+>时,d<,33>能达到64pC/N左右.
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