【摘 要】
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采用Cu2+选择电极的硫属玻璃敏感材料,结合脉冲激光沉积技术与光寻址电位传感器的特点,在光寻址电位传感器表面上沉积了对Cu2+敏感的薄膜材料,研制了一种新型Cu2+选择薄膜传感器。该传感器基底为n型单晶硅片,金属接触层为Cr/Au。通过实验可以得出该传感器的检出下限为5.44×10-7mol/L mol/L,响应时间小于2min,适用溶液pH范围4～7,具有测量快速灵活,所需样品少,测量下限低等特
【机 构】
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重庆工商大学计算机科学与信息工程学院废油资源技术与装备教育部工程中心,重庆,400067 浙江大学
【出 处】
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2008中国仪器仪表与测控技术报告大会
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采用Cu2+选择电极的硫属玻璃敏感材料,结合脉冲激光沉积技术与光寻址电位传感器的特点,在光寻址电位传感器表面上沉积了对Cu2+敏感的薄膜材料,研制了一种新型Cu2+选择薄膜传感器。该传感器基底为n型单晶硅片,金属接触层为Cr/Au。通过实验可以得出该传感器的检出下限为5.44×10-7mol/L mol/L,响应时间小于2min,适用溶液pH范围4～7,具有测量快速灵活,所需样品少,测量下限低等特点。此外,由于采用交流的光激发电流信号进行测量,所以相对于离子选择电极其灵敏度得到了提高。实验结果证明了该薄膜微型传感器是一种测量铜离子浓度新的有效器件。
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