【摘 要】
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本文研究了二维二氧化硅光子晶体中的异质构型缺陷设计及其高性能光子集聚效应。应用光子晶体中的光本征传播方程,本文首先计算了二维二氧化硅光子晶体的能带结构图,对于TE和
【机 构】
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电气绝缘与电力设备国家重点实验室西安交通大学; 中国兵器工业第203研究所;
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本文研究了二维二氧化硅光子晶体中的异质构型缺陷设计及其高性能光子集聚效应。应用光子晶体中的光本征传播方程,本文首先计算了二维二氧化硅光子晶体的能带结构图,对于TE和TM极化光的带隙特性差别进行了比较,并对其产生的原因进行了分析。其次通过采用典型的点缺陷结构,在二氧化硅光子晶体中构造了光子谐振腔,从而实现对入射光子的捕获,并获得了光子晶体中的光场分布特性。为了进一步提高光子晶体的光子集聚性能,文中将光子晶体的点缺陷结构和多层电介质谐振腔结构相结合,构造了光子晶体的异质缺陷结构。采用本文的方法,可在小于光子晶体晶格常数的纳米尺度上,实现高达200多倍的光能量增益。文中对该异质缺陷的聚光原理进行了详细的计算和讨论。
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