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利用低温（200C）生长的 GaAs 材料作为吸收层制备了 GaAs 基 1.55um 谐振腔增强型（RCE）光电探测器，对其光电特性进行了分析、研究。无光照 0 偏压下探测器暗电流为 8.0×10-11A，光 电流谱峰值波长 1563nm，响应谱线半宽 4nm, 具有良好的波长选择性。
1.55um低温生长GaAs谐振腔增强型探测器
【摘 要】
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利用低温（200C）生长的 GaAs 材料作为吸收层制备了 GaAs 基 1.55um 谐振腔增强型（RCE）光电探测器，对其光电特性进行了分析、研究。无光照 0 偏压下探测器暗电流为 8.0×10-11A，光
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,国家集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100083
【出 处】
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第五届全国光子学大会
【发表日期】
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2004年期
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