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就监控用850nm大功率红外芯片的研制及其产业化进行了探讨。针对该芯片之外延材料与传统的遥控用(940nm)窗口型/非窗口型小功率红外芯片之外延材料的不同特征以及GaAlAs 850nm红外芯片在研发、生产制造过程中存在的欧姆接触、表面损伤、功率衰减及提高该芯片发光功率等问题进行分析阐述，并在产业化生产制造进程中逐一解决。目前该850nm大功率红外LED芯片已应用于监控系统并实现产业化生产。