Resistive switching characteristics of epitaxial NiOx films on metal seed layer

来源 :第十六届全国电介质物理、材料与应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kingstarKS

【摘要】

：

　　Resistive switching random access memory(ReRAM)based on resistive switching(RS)of oxide films is one of promising candidates for next generation of nonvolat

【作者】

：

Y.Y.Zhang R.X.Wang T.Zhang L.T.Li J.Y.Dai X.Y.Qiu

【机构】

：

SchoolofPhysicalScienceandTechnology,SouthwestUniversity,Chongqing400715,ChinaDepartmentofAppliedPhy

【出处】

：

第十六届全国电介质物理、材料与应用学术会议

【发表日期】

：

2016年7期

【关键词】

：

epitaxial NiOx film Pt seed layer microstructure resistive switching characteris

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　　Resistive switching random access memory(ReRAM)based on resistive switching(RS)of oxide films is one of promising candidates for next generation of nonvolatile memory devices due to its high writing/read speed,simple structure and low power consumption.

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