微米宽度的反应离子刻蚀氧化铝薄膜研究

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【摘要】

：

Er3+掺杂Al2O3/SiO2/Si光波导薄膜采用热氧化法在Si(100)表面制备SiO2,溶胶-凝胶法提拉制备Er3+掺杂Al2O3。利用复合的射频等离子体刻蚀技术,以BCl3为工作气体,在工作气压1-1

【作者】

：

雷明凯王辉朱振华王兴军

【机构】

：

大连理工大学材料科学与工程学院;

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

等离子体刻蚀 A12O3薄膜平面光波导

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Er3+掺杂Al2O3/SiO2/Si光波导薄膜采用热氧化法在Si(100)表面制备SiO2,溶胶-凝胶法提拉制备Er3+掺杂Al2O3。利用复合的射频等离子体刻蚀技术,以BCl3为工作气体,在工作气压1-10 Pa下,刻蚀Er3+:Al2O3/SiO2/Si光波导薄膜。获得了线宽为2.0-3.0m,深度为300-600 nm的刻蚀结果,制备出脊状平面Er3+:Al2O3/SiO2/Si光波导。

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