【摘 要】
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通过研究分析GaN基发光二极管(LED)电极制作前用王水处理外延片表面对LED器件I-V特性曲线的影响,发现适当Ⅰ-Ⅴ的王水处理会使得Ni/Au电极与p-GaN的欧姆接触性能更好,但是太
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京 100083
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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通过研究分析GaN基发光二极管(LED)电极制作前用王水处理外延片表面对LED器件I-V特性曲线的影响,发现适当Ⅰ-Ⅴ的王水处理会使得Ni/Au电极与p-GaN的欧姆接触性能更好,但是太长时间的王水处理,会导致LED器件的漏电流明显增大。对LED外延片表面在王水处理前和处理后的原子力显微镜扫描中,发现王水处理会使得外延片表面的V形坑尺寸扩大。经过分析发现,透明电极中金属原子沿着穿透位错管道的扩散是造成漏电流增加的一个主要原因。P-GaN表面V形坑的扩大,会导致透明电极中的金属原子更容易通过表面V形坑扩散进位错管道中,从而形成电流通道,对LED器件的电学性能、寿命等造成不利的影响。
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