【摘 要】
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利用TEM和PDS显微光度计研究了ECR-PECVD技术制备的SiN薄膜的微结构。结果表明:在较低沉积温度下,ECR-PECVD制备的SiN薄膜是一种纳米α-SiN薄膜,其晶粒粒度在14~29nm间,而且这种
【机 构】
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师范大学物理系科学院等离子体物理研究所(合肥)
【出 处】
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中国核学会核聚变与等离子体应用学术讨论会
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利用TEM和PDS显微光度计研究了ECR-PECVD技术制备的Si<,3>N<,4>薄膜的微结构。结果表明:在较低沉积温度下,ECR-PECVD制备的Si<,3>N<,4>薄膜是一种纳米α-Si<,3>N<,4>薄膜,其晶粒粒度在14~29nm间,而且这种薄膜具有较好的表面平整度。
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