ECR-PECVD制备的Si3N4簿膜的微结构研究

来源 :中国核学会核聚变与等离子体应用学术讨论会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dinc22222
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利用TEM和PDS显微光度计研究了ECR-PECVD技术制备的Si<,3>N<,4>薄膜的微结构。结果表明:在较低沉积温度下,ECR-PECVD制备的Si<,3>N<,4>薄膜是一种纳米α-Si<,3>N<,4>薄膜,其晶粒粒度在14~29nm间,而且这种薄膜具有较好的表面平整度。
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