大尺寸ZnGeP2单晶垂直梯度冷凝法生长与性能表征

来源 :第17届全国晶体生长与材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cys_1688
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  本论文对垂直梯度冷凝法生长磷锗锌(ZnGeP2,ZGP)单晶进行了研究:采用双温区合成法,在自制的高精度多温区管式炉进行多晶宏量合成,单次合成量超过500g;根据晶体特性,设计特定温场,采用垂直梯度冷凝法(VGF)在自制的单晶生长炉中进行ZGP单晶定向生长,温度梯度1-2℃/cm,生长速度0.2-1.0mm/h,获得完整单晶体,最大尺寸可达φ55×130mm,晶体位错密度为102.
其他文献
因具有特殊的错开型能带结构,InAs/GaSb II型超晶格材料在红外探测领域具有广泛的应用前景,是目前国际上的研究热点。与传统红外探测材料碲镉汞相比,InAs/GaSb II型超晶格具有大面积均匀性好、响应波段范围宽、隧穿电流小、俄歇复合率低等优点,是制作大面积焦平面红外光电探测器的理想材料,但是由于GaSb组分层中Ga相关缺陷的存在使得InAs/GaSb超晶格材料少数载流子寿命非常小,为解决这
本文研究了铟掺杂对高效多晶硅铸锭材料及其太阳电池性能的影响。我们使用商业高效多晶工艺分别生长了纯掺铟和硼铟共掺作为电活性掺杂剂的G5高效多晶硅铸锭。
CdZnTe(CZT)晶体被认为是目前最理想的室温半导体辐射探测器材料之一。生长态CZT晶体中缺陷较多,通常需要采用退火处理对缺陷进行调控,改善晶体性能。本文研究了不同气体气氛退火对生长态高阻CZT晶体光电性能的影响规律。
热电材料能够实现热能和电能直接转换,在环境友好型发电器受到广泛关注.优良的热电材料需要具有高Seebeck系数、高电导率以及低热导率.PbSe由于具有良好的电学性能和较低的热导率在中温区尤受重视.通过掺杂来调制热电材料的电子结构的同时可以降低热导率,PbSe研究多集中于单组元掺杂或阳离子位多组元掺杂,对于阴阳离子双位掺杂尚未有相关研究.
在有机光伏器件中,双层异质结与体异质结是两种给受体接触常见的结构。其中,双层异质结器件的性能收到激子扩散长度和较低迁移率的限制,虽然体异质结结构的器件解决了激子扩散长度的问题,但是由于形貌控制的难度大,体异质结中的给受体依然不能达到高度有序。
To investigate micro/nano mechanical behaviors and anisotropism of monocrystalline silicon,nanoindentation tests,finite element numerical simulation and the first-principle calculations are used to an
中远红外激光(特别是3-5μm和8-10μm波段)在国防和民用领域都有非常突出和迫切的需求,硒化铟锂(LiInSe2)晶体具有透过波段宽、热导率高、双折射率大、抗激光损伤阈值高等突出的非线性光学性能 [1,2],通过差频产生和光学参量振荡可实现这一波段的可调谐激光输出。
本论文对水平梯度冷凝法生长高品质ZnGeP2晶体进行了研究,为国内首次.使用自制的双温区机械震荡管式炉进行ZnGeP2多晶合成,单次合成量超过500g;采用水平梯度冷凝法在自制多温区水平晶体生长炉中进行晶体生长,成功生长出350-395g大尺寸单晶,最大尺寸达25×32×165mm3.
为得到266nm输出,我们将Nd:YAG激光倍频后的532nm激光以62.2°斜入射于一块c向切割的KBBF晶体,以解决KB2BO3F2(KBBF)晶体难以沿相位匹配方向切割的问题[1].经过晶体表面折射后,532nm光在KBBF晶体内部沿相位匹配方向传播,从而成功实现对Nd:YAG激光的四倍频输出.
首次提出“强场耦合Yb3+离子准四能级系统”的新概念——利用强场耦合作用增加Yb3+离子的基态能级劈裂,降低激光下能级的热布居比例.Yb:GSO晶体具有最大的1067cm-1 Stark分裂,其Boltzmann布居:exp(-E12/kT)=0.6%,Yb:GSO是迄今发现的具有最大“5→4”荧光分子比.