论文部分内容阅读
Multi Non-volatile State Resistive Switching Arising from Ferroelectricity and Oxygen Vacancy Migrat
【作 者】
:
【机 构】
:
CondensedMatterScienceandTechnologyInstitute,SchoolofScience,HarbinInstituteofTechnology,China,15000
【出 处】
:
The 23rd International Workshop on Oxide Electronics (第23届国际
【发表日期】
:
2016年10期
其他文献
Excellent Resistive Switching Characteristics in Device Incorporating Brownmillerite SrFeO2.5 Thin f
会议