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本文利用硅基异质结构的非均匀磁电阻效应和稳压二极管的开启电压特性研究了室温几何磁电阻增强效应。硅基异质结构是通过金属铟(In)热压法将p型和n型硅(Si)基片拼接而成的p－Si/In/n－Si(PMN)结构，这种结构可以提升材料内部的非均匀性，以此来改善硅基磁电阻效应的非线性磁场依赖。
二极管辅助下硅基异质结构磁电阻增强效应
【摘 要】
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本文利用硅基异质结构的非均匀磁电阻效应和稳压二极管的开启电压特性研究了室温几何磁电阻增强效应。硅基异质结构是通过金属铟(In)热压法将p型和n型硅(Si)基片拼接而成
【机 构】
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三峡大学理学院,宜昌443002
【出 处】
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中国物理学会2015年秋季会议
【发表日期】
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2015年期
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