【摘 要】
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本文采用CMOS工艺设计了一种带迟滞的零温度系数的欠压闭锁电路。与传统采用BiCMOS工艺设计的电路相比,本文电路工艺成本低,易于实现。本文电路由带隙比较器结构产生零温度系
【机 构】
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北方工业大学微电子学系,北京,100041
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本文采用CMOS工艺设计了一种带迟滞的零温度系数的欠压闭锁电路。与传统采用BiCMOS工艺设计的电路相比,本文电路工艺成本低,易于实现。本文电路由带隙比较器结构产生零温度系数的阈值电压,提高了欠压闭锁电路阈值电压的精度和温度特性,同时通过反馈实现迟滞,克服了单一阈值的弱抗干扰能力。本文设计的欠压闭锁电路可用于充电器和DC-DC转换器等电源管理芯片.
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