【摘 要】
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采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法，研究了单硫空位缺陷[1]扶手椅型二硫化钼纳米带[2](AMoS2NR)的电子结构与性质。研究发现：完整的AMoS2NR 是具有一定带隙的
【机 构】
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中国石油大学(北京)理学院表面物理实验室,北京,102249
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采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法，研究了单硫空位缺陷[1]扶手椅型二硫化钼纳米带[2](AMoS2NR)的电子结构与性质。研究发现：完整的AMoS2NR 是具有一定带隙的半导体带；引入硫空位后，纳米带的带隙减小，减小程度因缺陷位置不同而不同。同时，空位缺陷AMoS2NR 边缘上的Mo 原子向纳米带内侧收缩加剧，且在有空位的半层Mo-S键长缩短，键角减小。
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