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薄膜厚度对C面蓝宝石衬底上外延生长的VO2薄膜结构及金属-绝缘体相变的影响

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xingli1314

【摘 要】

：

在 341 K 附近,VO2 发生由低温绝缘体相到高温金属相的可逆转变,同时伴随着光学、电学和学等性质的可逆突变,这种独特的性质使得 VO2 在光电开关材料、智能玻璃、存储介质材料等领域有着广阔的应用前景 1.目前,基于 VO2 材料的应用主要以薄膜状态为主,但是 VO2 的金属-绝缘体相变(MIT)温度高于室温,对氧空位、界面应力等非常敏感.

【作 者】

：

唐志武 徐马记 黎明锴 何云斌 

【机 构】

：

功能材料绿色制备与应用教育部重点实验室,湖北大学材料科学与工程学院,湖北武汉430062

【出 处】

：

中国物理学会2016年秋季会议

【发表日期】

：

2016年5期

【关键词】

：

VO2 薄膜厚度 金属-绝缘体相变(MIT) 

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　　在 341 K 附近,VO2 发生由低温绝缘体相到高温金属相的可逆转变,同时伴随着光学、电学和学等性质的可逆突变,这种独特的性质使得 VO2 在光电开关材料、智能玻璃、存储介质材料等领域有着广阔的应用前景 1.目前,基于 VO2 材料的应用主要以薄膜状态为主,但是 VO2 的金属-绝缘体相变(MIT)温度高于室温,对氧空位、界面应力等非常敏感.

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