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谐振腔增强型GaInNAs探测器与入射角度相关特性的实验研究
谐振腔增强型GaInNAs探测器与入射角度相关特性的实验研究
来源 :第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:play11200
【摘 要】
:
本文对1.3μmGaInNAs量子阱谐振腔增强型(RCE)探测器的角度相关的响应特性进行了实验研究.并用传输矩阵法对影响该RCE探测器的量子效率、峰值波长及模式半宽会随入射角度的变
【作 者】
:
杨晓红
梁琨
杜云
吴荣汉
张瑞康
【机 构】
:
中国科学院半导体研究所,集成光电国家重点实验室
【出 处】
:
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
:
2002年期
【关键词】
:
谐振腔增强型
探测器
入射角度
相关特性
传输矩阵法
响应特性
实验研究
模拟分析
量子效率
角度相关
峰值波长
量子阱
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本文对1.3μmGaInNAs量子阱谐振腔增强型(RCE)探测器的角度相关的响应特性进行了实验研究.并用传输矩阵法对影响该RCE探测器的量子效率、峰值波长及模式半宽会随入射角度的变化进行了详细模拟分析.
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