【摘 要】
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本文研究了MOCVD生长的具有双发射峰结构的InGaN/GaN多量子阱的发光二极管(LED)的结构和发光特性.在透射电子显微镜(TEM)下可以发现量子阱的宽度不一致,电致发光谱(EL)发现了
【机 构】
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人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学物理学院,北京,100871
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文研究了MOCVD生长的具有双发射峰结构的InGaN/GaN多量子阱的发光二极管(LED)的结构和发光特性.在透射电子显微镜(TEM)下可以发现量子阱的宽度不一致,电致发光谱(EL)发现了位于2.45cV的绿光发光峰和2.81eV处的蓝光发光峰.随着电流密度增加,双峰的峰位没有移动,直到注入电流密度达到2×104mA/cm2时,绿光发光峰发生蓝移,而蓝光发光峰没有变化.单色的阴极荧光谱(CL)发现绿光发射对应的发光区包括絮状区域和发光点,而蓝光发射对应的发光区仅包含絮状区域.通过以上的结果,我们认为蓝光发射基本上源于InGaN量子阱发光,而绿光发射则起源于量子阱和量子点的发光.
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